Исследования в области физики примесных дефектов, электрон-фононного и электрон-электронного взаимодействия в полупроводниках и наноструктурах

Заключается в выполнении научных исследований электрических, фононных, магнитных и оптических свойств дефектов в полупроводниковых структурах, образованных примесными или вакансионными кластерами в кристаллической решетке таких структур, а также исследование транспортных свойств наноструктур с такими дефектами с учетом электрон-фононного и электрон-электронного взаимодействия. В трудовую деятельность входит:  Разработка теории обменного взаимодействия дырки на центре марганца с его d-оболочкой в кристаллах III и V группы, анализ влияния деформации на свойства такого акцепторного комплекса;  Расчет оптических эффектов для внутрицентровых d-d переходов в ионе марганца в кристаллах II и IV групп с учетом эффекта Яна-Теллера и спин-орбитального взаимодействия;  Разработка теории небольцмановских поправок в магнетотранспортные свойства двумерных и трехмерных материалах с дефектами, при рассеянии на которых важны эффекты памяти траектории носителя заряда;  Анализ гидродинамических свойств течений электронной жидкости и поиск их применений для визуализации профиля скорости электронов в этом режиме;  Подготовка научных материалов к публикации в рецензируемых российских и зарубежных журналах;  Выполнение работ и подготовка отчетов по проектам фундаментальных и прикладных исследований в качестве руководителя и/или соисполнителя;  Участие в представлении результатов работ на ведущих российских и международных конференциях;  Обучение студентов, лаборантов и специалистов базовым теоретическим методам анализа расчета физических свойств дефектов в наноструктурах, и связанных с ними эффектов. Конкретные обязанности будут определяться исходя из квалификации соискателя.