Исследования в области новых широкозонных и сверхширокозонных полупроводниковых материалов на основе оксидов; разработка методов эпитаксиального роста широкозонных полупроводников; исследования физических свойств эпитаксиальных плёнок; разработка приборных структур.

Организация, руководство и участие в научных экспериментальных и теоретических исследованиях по разработке технологии эпитаксиального роста новых полупроводниковых материалов на основе оксида галлия: - формирование новых направлений исследований по получению эпитаксиальных слоёв оксида галлия различных полиморфов; - исследование структурных свойств эпитаксиальных плёнок с использованием методов рентгеноструктурного анализа и электронной микроскопии; - легирование и исследование электрофизических свойств сверхширокозонных полупроводниковых материалов; - определение возможностей для практического применения полученных результатов при разработке полупроводниковых приборов нового поколения; - разработка полупроводниковых структур и приборов на основе Ga2O3; - координация деятельности соисполнителей из других лабораторий и учреждений, участвующих в совместном выполнении работ; - обобщение получаемых результатов, инициирование и подготовка публикаций результатов проведенных исследований в российских и зарубежных журналах, индексируемых в базах данных WoS и/или Scopus, РИНЦ, представление докладов на российских и международных конференциях; - инициация и написание проектов, руководство или участие в качестве ответственного исполнителя при выполнении проектов и грантов; - подготовка и повышение квалификации научных кадров, руководство и обучение студентов и аспирантов;