Вакансия ID VAC_158336
Требования к кандидату
- Ученая степень кандидата физико-математических наук по направлению физика полупроводников; - Опыт проведения расчетов с применением теории функционала плотности (DFT) и атомистического моделирования свойств полупроводников материалов (InAs, GaN, GaP) и их тройных и четверных растворов (не менее 5 лет). - Опыт экспериментальной разработки и исследования газовых сенсоров на основе наноматериалов (не менее 2 лет). - Умение работать на стыке экспериментальных данных и теоретических моделей для верификации результатов. - Стаж научной работы по специальности не менее 3 лет. - Индекс Хирша по базе данных Scopus не ниже 7. - Индекс Хирша по базе данных Google Scholar не ниже 9. - Участие в научных проектах/государственных заданиях за предыдущие 5 лет: не менее 6 - Число публикаций по тематике исследования, учтенных в международных системах научного цитирования Web of Science или Scopus, за последние 5 лет: не менее 22 шт, а также докладов на научных конференциях: не менее 5 шт. на срок до 29.12.2028
