Исследования, разработка и численное моделирование в области создания полупроводниковых структур и функциональных приборов оптоэлектроники (фото-, светодиодов, лазеров) на основе кремния и соединений III-V группы.

Участие в научных исследованиях по разработке функциональных приборов на основе III-V наноструктур, совместимых с кремниевой платформой, в составе коллектива лаборатории, включая: - формулировка физической модели процессов поглощения и излучения в полупроводниковых соединениях фосфида-арсенида галлия, разбавленного азотом, с учетом особенностей формирования квантовых энергетических уровней атомов азота в полупроводникой матрице; - численное моделирование работы оптоэлектронных устройств на основе полупроводниковых соединениях фосфида-арсенида галлия, разбавленного азотом, кремнии с использованием современных вычислительных пакетов и языков программирования (Comsol, Python); - численное моделирование процессов распространения и рассеяния света в нитевидных нанокристаллах; - формирование приборных прототипов диодных структур на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов III-V группы; - проведение характеризации сформированных структур включая оптическую и электронную микроскопию, энергодисперсионный анализ; - проведение измерений сформированных структур, в частности измерение электрофизических характеристик приборных прототипов, проведение оптических измерений; - руководство и обучение студентов и аспирантов фундаментальным и прикладным навыкам численного моделирования и постростовой обработки.