Вакансия ID VAC_158213
Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений
Обосновывать актуальность и новизну темы исследования
Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования
Определять методы и средства проведения исследований по перспективным направлениям
Требования к кандидату
монографии
охраноспособные результаты интеллектуальной деятельности
К претенденту на должность начальника научно-исследовательской лаборатории, отдела предъявляются следующие квалификационные требования: - высшее образование по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; - наличие ученой степени доктора наук или кандидата наук и стаж научной работы не менее 3 лет. При отсутствии ученой степени - опыт работы начальником лаборатории по направлению создания перспективной элементной базы и технологических маршрутов микросхем не менее 5 лет; - наличие научных трудов или дипломов на открытия и авторских свидетельств на изобретения; - опыт руководства НИОКР в области интегральных полупроводниковых КМОП-технологий с глубоко-субмикронными нормами топологического проектирования (до 28нм включительно); - опыт управления проектами в области разработки и постановки производства полупроводниковых приборов и систем с использованием нанотехнологий; - знание и опыт разработки глубоко-субмикронных КМОП-технологий, включая разработку тестовых кристаллов для постановки и контроля качества технологии, а также опыт интеграции в компактные модели элементов ИС компонент учета статистического разброса параметров технологии (corner, global, mismatch); - опыт электрофизической характеризации полупроводниковых приборов с использованием современных аппаратно-программных комплексов в составе: полупроводниковый анализатор Agilent B1500A / Agilent B1505A, автоматические/полуавтоматические зондовые станции ф. Cascade Microtech, коммутационные матрицы; - знание принципов и подходов построения расчётных проектов в средах приборно-технологического моделирования (TCAD Sentaturus); - знание принципов и подходов разработки компактных моделей элементов ИС в средах экстракции SPICE-параметров (Keysight PathWave, Keysight MBP) для основных современных SPICE-моделей индустриального стандарта (BSIM4, HiSim, BSIM-BULK, BSIMSOI); - опыт по поддержке и сопровождению вычислительных САПР на платформах Linux RHEL 6/7: Synopsys TCAD, Keysight PathWave (IC-CAP), Keysight MBP, Keysight MQA, Cadence Virtuoso; - опыт разработки высоковольтных МОП-транзисторов (LDMOS, VDMOS); - участие за последний год, предшествующий конкурсу, не менее чем в одном научном исследовании в рамках договора на выполнение НИР; - знание английского языка в области профессиональной деятельности на уровне не ниже Advanced; - знание стандартов в области надёжностных характеристик интегральных элементов ИС, опыт постановки работ по соответствующей аттестации элементной базы на надёжность;
Заработная плата
Социальный пакет
Контактная информация
Дополнительно: С дополнительными требованиями к претенденту на должность можно ознакомиться на сайте НПК «Технологический центр»: http://www.tcen.ru Внимание! Необходимо учесть требования, предъявляемые к претендентам на соискание должности научного работника в соответствии с Положением «О порядке проведения конкурса на замещение и (или) продление полномочий научных сотрудников в НПК «Технологическом центре» (http://www.tcen.ru), заполнить и представить необходимый пакет документов в конкурсную комиссию.
