Исследования полупроводниковых материалов, их свойств, разработка технологии пост-ростовой обработки полупроводниковых Si-гетероструктур и создание приборов на их основе. Исследования материалов и разработка пост-ростовой технологии в области интегральной оптики, создание приборов на основе оптических волноводов и контроля их параметров.

- Разработка топологии и конструкции фотоэлектрических усилителей и преобразователей, оптоэлектрических элементов и фотодиодов. - Развитие различных методов контроля свойств фотодиодов, разработка и изготовление оборудования для исследования: вольт-амперных характеристик, проведения CV измерений, анализа фотоотклика в диапазоне спектров от мягкого рентгена до ближнего ИК, оценки темнового тока, а также исследование параметров шумов и методов измерения предельно малых электрических величин. - Разработка и изготовление специального оборудования для проведения постростового процессирования структур: для функционирования в условиях агрессивной химии, для контроля параметров фотолитографического процесса (светового потока и параметров вращения пластин при нанесении фоторезиста) и для технологии двухстороннего совмещения пластин с помощью излучения. - Исследования методов измерения и контроля параметров температуры и давления. - Разработка оборудования для автоматизации и проведения эксперимента. Разработка алгоритмов и обработка экспериментальных данных. - Участие в написании статей для публикации в ведущих мировых журналах; представление полученных результатов на российских и международных конференциях.