Фундаментальные и прикладные научные исследования в области физики и технологии гетероструктур полупроводников А3В5 и оптоэлектронных приборов на их основе.

- Разработка постростовой технологии полупроводниковых гетероструктур для создания оптоэлектронных приборов ближнего и среднего ИК диапазона; - Разработка конструкции и постростовой технологии создания быстродействующих фотоприемников на основе гетероструктур А3В5 - Разработка контактных систем для создания полупроводниковых приборов; - Проведение исследований процессов травления и окисления полупроводниковых гетероструктур А3В5, - Разработка технологии нанесения диэлектрических и металлических покрытий на поверхность полупроводниковых гетероструктур; - Исследование формирования металлических покрытий на заданном рельефе; - Подготовка и проведение исследований спектральных, фотоэлектрических, и температурных характеристик фотодиодов, обработка получаемых данных; - Анализ полученных экспериментальных данных с учетом протекающих физических процессов в полупроводниковых структурах; - Сбор и обработка научной и научно-технической информации, необходимой для решения исследовательских задач; - Подготовка статей для публикации в российских и зарубежных научных журналах; - Повышение квалификации, представление полученных результатов на конференциях и семинарах; - Подготовка отчетов по проектам фундаментальных и прикладных исследований в качестве руководителя и/или исполнителя;