Изучение и создание источников излучения в красной спектральной области, а также элементов фотонных интегральных схем на основе тонкопленочных гетероструктур полупроводниковой системы материалов GaP(NAs) на кремнии.

Участие в научных исследованиях по разработке полупроводниковых светоизлучающих и фотопоглощающих структур в составе коллектива лаборатории, включая: - моделирование фото- светоизлучающих приборов на основе нитевидных нанокристаллах наноструктур и планарных слоёв III-V группы (InAs, GaNPAs) с использованием современных вычислительных пакетов и языков программирования (Comsol, Python); - численное моделирование процессов поглощения, распространения и рассеяния света в плазмонных структурах; - формирование приборных прототипов диодных структур на основе полупроводниковых планарных и нитевидных нанокристаллов III-V группы, также измерение их электрофизических характеристик; - исследование структурных свойств образцов, описание результатов полученных с помощью оптической и сканирующей электронной микроскопии; - обобщение получаемых результатов, инициирование и подготовка публикаций результатов научно-исследовательских работ в российских и зарубежных журналах, индексируемых в базах данных WoS и/или Scopus, РИНЦ; - подготовка и публикация патентов на изобретение; - подготовка и представление докладов на российских и международных конференциях; - руководство и обучение студентов и аспирантов фундаментальным и прикладным навыкам исследования технологии синтеза III-V наноструктур.