Разработка технологии кремниевых силовых полупроводниковых приборов, в частности ДДРВ и SOS диодов, а также полупроводниковых диодных обострителей. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование структуры и электрических свойств гибридных наногетероструктур на основе фторидов, а также соединений АIVВVI на кремнии.

Проведение прикладных научных исследований в области физики и технологии полупроводников: - проведение процессов глубокой диффузии в кремниевые пластины для формирования диффузионного профиля полупроводниковых приборов; - формирование и защита краевой фаски приборов; - изготовление контактов; - нарезка кремниевых пластин на подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии; - предэпитаксиальная химическая подготовка подложек кремния методами RCA и Шираки; - электрофизические измерения проводимости наногетероструктур с помощью зондовых методик; - участие в работах по обслуживанию сверхвысоковакуумной установки молекулярно-лучевой эпитаксии; - анализ научной литературы по тематике исследований; - участие в подготовке публикаций (индексируемых в библиографических зарубежных базах данных «Сеть науки» (Web of Science Core Collection) или «Скопус» (Scopus) и российской базе данных Russian Science Citation Index (RSCI)) и представление полученных результатов на российских и международных конференциях; - выполнение работ и подготовка отчетов по научно-исследовательским проектам.