Исследования выходных электрооптических характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 0.65-1.90 мкм и квантово-каскадных лазеров излучающих на длине волны 4.5мкм и 8мкм.

- Владение технологией монтажа кристаллов полупроводниковых лазеров на различные типы теплоотводов - Измерение и исследование выходных излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров на основе лазерных гетероструктур в системе твердых растворов In-Ga-Al-As-P и Al-Ga-As ( = 0.65-1.90 мкм). - Исследования, посвящённые улучшению деградационных свойств зеркал полупроводниковых лазеров, за счёт пассивации выходных граней лазерной гетероструктуры путём химической обработки и напыления специальных диэлектрических покрытий. - Исследования с обобщением научных данных и результатов экспериментов, проведение анализа достоверности полученных научных результатов с целью разработки новых лазерных конструкций. -Опыт работы на технологических установках термовакуумного напыления различных металлов. - Участие в качестве ответственного исполнителя в работах по разделам программ фундаментальных исследований РАН и ее отделений, российским договорам на выполнение НИР, конкурсным программам Минобрнауки РФ. - Обучениие студентов, проходящих практику в лаборатории, технологическим приемам, связанным с изготовлением полупроводниковых лазеров. - Участие в подготовке статей для публикаций в научных журналах, индексируемых Web of Science и/или Scopus и представления полученных результатов на российских и международных конференциях.