Исследования и разработки в области технологии, диагностики полупроводниковых материалов и создания структур на их основе. Объекты исследования: кристаллы, тонкие пленки AIBIIICVI2, AIIBIVCV2.соединений, биологические обьекты и барьерные структуры на их основе : гомопереходы, гетероконтакты, барьеры Шоттки, фотоэлектрохимические ячейки и нано- cистемы, живые обьекты, исследуемые экспериментальными методами физики твердого тела. Цель: оптимизация технологических процессов синтеза и роста кристаллов, структур, выявление новых свойств и возможностей создания приборных структур на их основе. Трудовая деятельность

Постановка задач и формирование планов научно-исследовательских работ и определение методов и средств их проведения в монокристаллах и полупроводниковых барьерных структурах; Выявление новых принципов синтеза и выращивания монокристаллов тройных и более сложных полупроводниковых соединений из нестехиометрических растворов-расплавов методом направленной кристаллизации близких к стехиометрии расплавов получаемых фаз, , взаимосвязи их физико-химических свойств с технологическими условиями получения, оптическими, фотоэлектрическими характеристиками Исследования дефектов решетки различной природы в полупроводниках с решеткой халькопирита их влияние на формирование физических свойств таких веществ, в частности анизотропии оптических и фотоэлектрических явлений, оптимизация физико-технологического процесса, позволяющего эффективно управлять основными параметрами фоточувствительных структур на тройных соединениях AIBIIICVI2, AIIBIVCV2. Планирование и реализация комплексных исследований явлений переноса носителей заряда, оптических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств многокомпонентных полупроводников и разработки приборных структур на их основе. Проведение научных исследований в рамках реализации научных программ в области фи- зики полупроводников и физики конденсированных сред согласно государственному заданию и планам НИР, а также участие в подготовке заявок на новые проекты и гранты, координация деятельности соисполнителей работ в рамках компетенции, анализ и обобщение полученных результатов, предложения сферы их применения. - Обобщение полученных результатов, и корреляция их с известными физическими свойствами изучаемых материалов и с результатами, полученными в публикуемой научной литературе. Инициация и подготовка публикаций в научных журналах, издаваемых в России и за ру- бежом, индексируемых базами данных WoS, Scopus, РИНЦ. Исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниковых кристаллах и барьерных структурах на их основе гомопереходов, гетероконтактов, барьеров Шоттки, фотоэлектрохимические ячейки на основе элементарных, бинарных и многокомпонентных полупроводниковых соединений в естественном и линейно поляризованном излучении.