Разработка технологии создания непланарных наноструктур и слоёв (In,Ga)N и создание светодиодов на их основе в зелено-красном спектральном диапазоне излучения

Участие в научных исследованиях по разработке полупроводниковых светоизлучающих структур в составе коллектива лаборатории, включая: - синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремнии слоёв и непланарных (In,Ga)N наноструктур, таких как нитевидные нанокристаллы, наноцветы и; - исследование структурных свойств образцов, анализ, интерпретация и объяснение результатов, полученных с помощью дифракции быстрых электронов на отражение, растровой электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), включая ПЭМ высокого разрешения с использованием дифракционного и элементного анализа; - исследование оптических свойств образцов в широком температурном диапазоне от 4 до 300К и различных интенсивностях излучения, анализ полученных результатов - определение возможностей для практического применения полученных результатов; - обобщение получаемых результатов, инициирование и подготовка публикаций результатов научно-исследовательских работ в российских и зарубежных журналах, индексируемых в базах данных WoS и/или Scopus, РИНЦ. - подготовка и представление докладов на российских и международных конференциях. До 31.12.2025 г.