Фундаментальные и прикладные исследования свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений A3B5 и оптоэлектронных приборов на их основе.

Проведение исследований гетероструктур пониженной размерности, таких как квантовые ямы, квантовые точки и квантовые яма-точки, используемых в качестве активной области в полупроводниковых приборах. Исследование оптического усиления в таких структурах; - Создание и эксплуатация экспериментальных установок для исследования суперлюминесцентных и лазерных диодов, кольцевых и микродисковых лазеров и других полупроводниковых приборов; - Определение базовых характеристик полупроводниковых приборов, в том числе таких как картины ближнего и дальнего поля, вольт и ватт-амперные характеристики, спектры излучения, токи просветления при различных режимах работы приборов. - Исследования микролазеров с использованием установок микрофотолюминесценции и сканирующей ближнепольной микроскопии; - Исследования быстродействия полупроводниковых лазеров, определение малосигнального отклика; - Прецизионный монтаж полупроводниковых лазеров на различные подложки; - Анализ результатов исследований полупроводниковых структур; - Моделирование волновода и характеристик активной области полупроводниковых лазеров; - Подготовка публикаций в российских и зарубежных журналах; - Подготовка и представление результатов исследований на конференциях и семинарах. До 31.12.2025г.