Светоизлучающие и фотодетекторные структуры ближнего ИК и видимого диапазонов на основе полупроводниковых наноструктур.

Руководство научными исследованиями по разработке технологии синтеза и создании приборных светоизлучающих и фотодетекторных структур ближнего ИК и видимого диапазонов в составе коллектива лаборатории, включая: - выявление отличительных особенностей эпитаксиальной стабилизации твердых растворов GaP(N,As) в массивах ННК на поверхности SiOx/Si(111); - исследование процессов эпитаксиальной стабилизации твердых растворов InAs(P,N) в массивах безкаталитических ННК, формирующихся на поверхности SiOx/Si(111) по самоиндуцированному механизму; - выявление взаимосвязей между композиционным составом, кристаллической структурой и морфологией гетероструктур GaP(N,As) и InAs(P,N) и их зонной структурой и оптическими свойствами. Исследование волноводных и резонансных свойств ННК; - развитие постростовых технологий (включая методы селективного плазмохимического и жидкостного травления, пассивации поверхности, формирования омических контактов с малыми омическими и оптическими потерями) и изготовление приборных структур светоизлучающих диодов и фотодетекторов; - изучение спектральной чувствительности и квантовой эффективности прототипов ИК-фотодетекторов и светодиодов. Исследование зависимостей электролюминесцентных свойств светодиодов, а также темнового тока и спектральной чувствительности фотодетекторов от структуры, объема и морфологии активной области.