Главная / Карточка организации/ Карточка вакансии

Вакансия ID VAC_100583

статус: ПРЕДЛОЖЕНИЕ ПРИНЯТО
начало приема заявок: 10.12.2022 00:00
окончание приема заявок: 18.01.2023 10:00
дата проведения конкурса: 27.01.2023 10:00
Организация:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Должность:
Старший научный сотрудник
Отрасль науки:
Физика и астрономия
Деятельность:
ИНОЕ
Исследование технологических процессов и разработка технологии получения эпитаксиальных структур групп А3В5 (GaN, AlN, AlGaN) и Ga2O3 методом газофазной эпитаксии (HVPE). Разработка полупроводниковых структур для применения в силовых и оптических приборах электроники и оптоэлектроники.
Трудовые функции:
ИНОЕ
Проведение исследований по заявленной тематике как самостоятельно, так и в составе коллектива лаборатории. В рамках разработки и исследований осуществляется научная деятельность, в направлениях III – нитридов и оксидов включающая в себя: - разработка технологии получения гомо- и гетероструктур на основе широкозонных III – нитридов на различных подложках кремния Si , SiC/Si и Al2O3. -проведение экспериментов и получение эпитаксиальных слоёв и гетороструктур в рамках данного технологического процесса. - анализ полученных слоев методами: оптической микроскопии, сканирующей электронной микроскопии (SEM), рентгеновской дифрактометрии (XRD) и Рамановской спектроскопии для оптимизации процесса; - изучение влияния технологических параметров эпитаксиального процесса на их физико-химические свойства; - разработка технологии выращивания толстых (порядка 300 мкм) эпитаксиальных слоев GaN для последующего использования в качестве подложечного материала при гомоэпитаксии; - разработка технологии снижения трещинооброзования при выращивании толстых слоев GaN, AlN и AlGaN на инородных подложках; - изучение технологических особенностей и оптимизации процесса выращивания полуполярных и неполярных слоев GaN и AlN ; - разработка и изучение метода выращивания эпитаксиальных слоев перспективного материала Ga2O3 на различных подложках и оптимизация процесса эпитаксии. - исследование полученных слоев Ga2O3 оптическими и рентгеноструктурными методами. Оптимизация технологического процесса для обеспечения основных параметров прибора, совершенство кристаллической структуры и формирование требуемых полупроводниковых свойств, контроль морфологии поверхности и дизайн полупроводниковых приборов. Решение технологических проблем легирования широко зонных материалов и возможность создания p-n структур и омических контактов к ним. - разработка плана исследований, сбор, изучение и обобщение полученных научно-технических данных, проверка достоверности результатов; - подготовка результатов исследований к публикации в российских и зарубежных журналах, а также представление этих результатов на российских и международных конференциях по тематике исследований; - подготовка результатов исследований к публикации в российских и зарубежных журналах, а также представление этих результатов на российских и международных конференциях по тематике исследований; - Подготовка заявок, выполнение работ и подготовка отчетов по грантам и проектам фундаментальных и прикладных исследований. Руководство научной исследовательской деятельности магистров и аспирантов.
Трудовая деятельность:
Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения.
Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования
Оценивать степень решения отдельных задач исследования
Регион:
Санкт-Петербург
Населенный пункт:
Санкт-Петербург Санкт-Петербург

Требования к кандидату

Вакансия для выпускников вузов:
Нет
Результаты интеллектуальной деятельности:
публикации
Использование результов интеллектуальной деятельности:
Ученая степень и звание:
кандидат технических наук
кандидат физико-математических наук
Опыт развития организации:
Прочие требования к кандидату:

Заработная плата

ДОЛЖНОСТНОЙ ОКЛАД:
31 395 руб.
СТАВКА:
1.0
СТИМУЛИРУЮЩИЕ ВЫПЛАТЫ:
15 000 руб.
ЕЖЕМЕСЯЧНОЕ ПРЕМИРОВАНИЕ:
0 руб.
ГОДОВОЕ ПРЕМИРОВАНИЕ:
0 руб.
УСЛОВИЯ ПРЕМИРОВАНИЯ:
качество выполняемых исследований («уровень» публикации или патентование результата, в том числе за рубежом)

Социальный пакет

ЖИЛЬЕ:
ПРОЕЗД:
ОТДЫХ:
МЕДИЦИНСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ И СТРАХОВАНИЕ ОТ НЕСЧАСТНЫХ СЛУЧАЕВ НА ПРОИЗВОДСТВЕ:
СТАЖИРОВКИ И ПОВЫШЕНИЕ КВАЛИФИКАЦИИ:
ДРУГОЕ:

Контактная информация

ФАМИЛИЯ, ИМЯ, ОТЧЕСТВО:
Патров Михаил Иванович
E-MAIL:
michael.patrov@mail.ioffe.ru
ТЕЛЕФОН:
8-812-297-22-45
ДОПОЛНИТЕЛЬНО:

Подробные требования и условия - см. на веб-сайте Института по адресу http://www.ioffe.ru во вкладке «Вакансии/конкурсы». Срок трудового договора – 5 лет.

loader
идёт загрузка